GSE C200 多功能刻蝕機(jī)等離子體源設(shè)計(jì)，保證良好的刻蝕均勻性.GSE C200采用高密度等離子體源，刻蝕速率高、均勻性好、顆?？刂颇芰?qiáng)、易維護(hù)、性能穩(wěn)定。其在硅、氧化硅、氮化硅、氮化鎵、砷化鎵、磷化銦、鈮酸鋰、金屬、有機(jī)物等多種材料的刻蝕上性能優(yōu)良。本刻蝕機(jī)已進(jìn)入多家IC Fab主流產(chǎn)線以及化合物等新興應(yīng)用量產(chǎn)產(chǎn)線，具有快速導(dǎo)產(chǎn)能力，同時(shí)針對(duì)大學(xué)、科研院所提供高性?xún)r(jià)比配置。

多腔等離子體刻蝕系統(tǒng)-概述： 1.方案是適用于最大 8 吋晶圓的多腔等離子體刻蝕工藝系統(tǒng) 2.系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn) 3.系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片；不同尺寸樣片之間的切換、無(wú)需反應(yīng)腔的開(kāi)腔破真空

CIF推出RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式，實(shí)現(xiàn)對(duì)材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué)，科研院所、微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性?xún)r(jià)比高，易維護(hù)，處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行RIE反應(yīng)離子刻蝕。

提供深硅蝕刻（DSiE）領(lǐng)域的MEMS，封裝和納米技術(shù)的廣泛應(yīng)用，從光滑側(cè)壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕，不需要更換腔室硬件就可以實(shí)現(xiàn)。

離子束刻蝕系統(tǒng)IBE 的靈活性、均勻性俱佳且應(yīng)用范圍廣。我們的設(shè)備具有靈活的硬件選項(xiàng)，包括直開(kāi)式、單襯底傳送模式和盒式對(duì)盒式模式。系統(tǒng)配置與實(shí)際應(yīng)用緊密協(xié)調(diào)，以確保獲得速率更快且重復(fù)性更好的工藝結(jié)果。

可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝，兼容200mm以下所有尺寸的晶圓，快速更換到不同尺寸的晶圓工藝，電極的適用溫度范圍寬，-150°C至400°C。