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    反應(yīng)離子刻蝕機(jī)

    簡要描述:CIF推出RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī),采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式,實(shí)現(xiàn)對材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué),科研院所、微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價(jià)比高,易維護(hù),處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行RIE反應(yīng)離子刻蝕。

    • 產(chǎn)品型號(hào):RIE200/Plus
    • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
    • 更新時(shí)間:2024-09-02
    • 訪  問  量: 1281

    詳細(xì)介紹

    一、產(chǎn)品簡介:

    CIF推出RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī),采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式,實(shí)現(xiàn)對材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué),科研院所、微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價(jià)比高,易維護(hù),處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行RIE反應(yīng)離子刻蝕。具體包括:

    1.介電材料(SiO2、SiNx等)

    2.硅基材料(Si,a-Si,poly Si)

    3.III-V材料(GaAs、InP、GaN等)

    4.濺射金屬(Au、Pt、Ti、Ta、W等)

    5.類金剛石(DLC)      

    二、RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī) 產(chǎn)品特點(diǎn)

    1.7寸彩色觸摸屏互動(dòng)操作界面,圖形化用戶操作界面顯示,自動(dòng)監(jiān)測工藝參數(shù)狀態(tài),20個(gè)配方程序,可存儲(chǔ)、輸出、追溯工藝數(shù)據(jù),機(jī)器運(yùn)行、停止提示。

    2. PLC工控機(jī)控制整個(gè)清洗過程,手動(dòng)、自動(dòng)兩種工作模式。

    3. 真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質(zhì),耐腐蝕無污染。

    4. 采用防腐數(shù)字流量計(jì),實(shí)現(xiàn)對氣體輸入精準(zhǔn)控制。標(biāo)配雙路氣體輸送系統(tǒng),可選多氣路氣體輸送系統(tǒng),氣體分配均勻??奢斎胙鯕狻鍤?、氮?dú)狻⑺姆?、氫氣或混合氣等氣體。

    5. 采用花灑式多孔進(jìn)氣方式,改變傳統(tǒng)等離子清洗機(jī)單孔進(jìn)氣不均勻問題。

    6. HEPA高效過濾,氣體返填吹掃,防止二次污染。

    7. 符合人體功能學(xué)的60度傾角操作界面設(shè)計(jì),操作方便,界面友好。

    8. 采用頂置真空倉,上開蓋設(shè)計(jì),下壓式鉸鏈開關(guān)方式。

    9. 上置式360度水平取放樣品設(shè)計(jì),符合人體功能學(xué),操作更方便。

    10. 有效處理面積大,可處理最大直徑200mm晶元硅片。

    11. 安全保護(hù),倉門打開,自動(dòng)關(guān)閉電源。

    三、技術(shù)參數(shù)

    型號(hào)

    RIE200

    RIE200plus

    艙體內(nèi)尺寸

    H38xΦ260mm

    H38xΦ260mm

    艙體容積

    2L

    2L

    射頻電源

    40KHz

    13.56MHz

    電極

    不銹鋼氣浴RIE電極,Φ200mm

    不銹鋼氣浴RIE電極,Φ200mm

    匹配器

    自動(dòng)匹配

    自動(dòng)匹配

    刻蝕方式

    RIE

    RIE

    射頻功率

    10-300W可調(diào)(可選10-1000W)

    10-300W可調(diào)(可選10-600W)

    氣體控制

    質(zhì)量流量計(jì)(MFC)(標(biāo)配雙路,可選多路)流量范圍0-500SCCM(可調(diào))

    工藝氣體

    ArN?、O?、H?、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合氣體等(可選)

    最大處理尺寸

    ≤Φ200mm

    時(shí)間設(shè)定

    1-99分59秒

    真空泵

    抽速約8m3/h

    氣體穩(wěn)定時(shí)間

    1分鐘

    極限真空

    ≤1Pa

    電 源

    AC220V 50-60Hz,所有配線符合《低壓配電設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設(shè)計(jì)規(guī)范》等國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)規(guī)定。





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