RIE-802BCT深硅刻蝕設(shè)備是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個反應(yīng)室的量產(chǎn)用硅深孔系統(tǒng)。標(biāo)準(zhǔn)配置有空氣盒和晶圓邊緣保護環(huán)，以及高精度的晶圓對準(zhǔn)器。該高性能系統(tǒng)能夠進行高長寬比加工（超過100）和低扇形加工，同時保持高蝕刻率和抗蝕劑選擇率。

ELEDE® 380系列 芯片刻蝕機，優(yōu)良的等離子體發(fā)生裝置，適用多種材料刻蝕，工藝窗口寬。

GDE C200系列 高密度 刻蝕機，等離子體源和頻率設(shè)計，等離子體密度高，適用于強鍵合材料刻蝕。

NMC 508系列 ICP刻蝕機是電感耦合高密度等離子體（Inductively Coupled Plasma, ICP）干法刻蝕機，具有高精度、高選擇性和高效率等特點。該設(shè)備廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、微電子制造、光電子制造等領(lǐng)域，特別是在集成電路、微機電系統(tǒng)（MEMS）、光電子器件等制造過程中發(fā)揮著重要作用。

NMC 612G 12英寸金屬刻蝕機，可用于鋁、硅，氧化物、鉬、氧化銦錫等多種材料刻蝕。

NMC 508系列 CCP介質(zhì)刻蝕機，多頻解耦設(shè)計，實現(xiàn)優(yōu)異的均勻性及高深寬比介質(zhì)刻蝕。