RIE-400iP是用于ø4 “晶圓的負(fù)載鎖定型蝕刻系統(tǒng)，等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備可對(duì)各種半導(dǎo)體和絕緣膜進(jìn)行高精度、高均勻性加工。采用龍卷風(fēng)線圈的電感耦合等離子體(Inductively Coupled Plasma)作為放電形式，可產(chǎn)生均勻、高密度的等離子體。

RIE-350iPC是一種盒式裝載電感耦合等離子體(ICP)蝕刻設(shè)備，可處理多達(dá)ø350毫米的載盤，用于多晶圓批量處理。該系統(tǒng)為各種蝕刻應(yīng)用提供了堅(jiān)固可靠的硬件和工藝控制，具有較高的生產(chǎn)率，如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、電容器和射頻濾波器。

高密度等離子體刻蝕設(shè)備系統(tǒng)采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室，是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng)，具有優(yōu)良的工藝重復(fù)性和穩(wěn)定性。

RIE-400iPB是一款電感耦合等離子體放電設(shè)備，用于博世MEMS和電子元件工藝中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是為研究和開發(fā)目的而改裝的。該系統(tǒng)由Robert Bosch GmbH（德國(guó)）授權(quán)，能夠?qū)EMS和TSV所需的硅進(jìn)行高速和高各向異性蝕刻。

Samco 的 RIE-800iPB 是一種電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備，使用高密度等離子體進(jìn)行 MEMS 和 TSV 應(yīng)用所需的深度硅蝕刻。RIE-800iPB是為Bosch工藝設(shè)計(jì)的用硅蝕刻系統(tǒng)（由Robert Bosch GmbH授權(quán)）。該系統(tǒng)的反應(yīng)室、電、平臺(tái)和真空設(shè)計(jì)克服了在競(jìng)爭(zhēng)系統(tǒng)中遇到的問題，可實(shí)現(xiàn)高速(約50 μm/min)、無傾斜、高剖面蝕刻，具有行業(yè)先的

RIE-800BCT是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產(chǎn)型硅DRIE系統(tǒng)。這種高性能系統(tǒng)能夠進(jìn)行高縱橫比處理（超過100）和低扇形處理，同時(shí)保持高蝕刻率和選擇性。