等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備

簡要描述：RIE-400iP是用于ø4 “晶圓的負(fù)載鎖定型蝕刻系統(tǒng)，等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備可對各種半導(dǎo)體和絕緣膜進(jìn)行高精度、高均勻性加工。采用龍卷風(fēng)線圈的電感耦合等離子體(Inductively Coupled Plasma)作為放電形式，可產(chǎn)生均勻、高密度的等離子體。

產(chǎn)品型號：RIE-400iP
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時間：2024-09-06
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1. 產(chǎn)品概述

RIE-400iP是用于?4 "晶圓的負(fù)載鎖定型蝕刻系統(tǒng)，可對各種半導(dǎo)體和絕緣膜進(jìn)行高精度、高均勻性加工。采用的龍卷風(fēng)線圈的電感耦合等離子體(Inductively Coupled Plasma)作為放電形式，可產(chǎn)生均勻、高密度的等離子體。另外，可以根據(jù)加工材料和加工內(nèi)容選擇合適的等離子體源。

2. 設(shè)備用途/原理

GaN、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體的高精度蝕刻。生產(chǎn)半導(dǎo)體激光器和光子晶體。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

新的ICP源 "HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil"。可高效穩(wěn)定地應(yīng)用高射頻功率（2千瓦以上），并實現(xiàn)良好的均勻性。大流量排氣系統(tǒng)，排氣系統(tǒng)直接連接到反應(yīng)室，可以實現(xiàn)從小流量和低壓范圍到大流量和高壓范圍的廣泛工藝窗口。端點(diǎn)監(jiān)測，干涉法和發(fā)射光譜終點(diǎn)監(jiān)測儀可用于目標(biāo)薄膜厚度的終點(diǎn)檢測。易于維護(hù)的設(shè)計，TMP(渦輪分子泵)已集成在一個單元中，便于更換。

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