當前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導體前道工藝設備 > 5 刻蝕設備 > Ionfab 300 IBE離子束刻蝕系統(tǒng)IBE
簡要描述:離子束刻蝕系統(tǒng)IBE 的靈活性、均勻性俱佳且應用范圍廣。我們的設備具有靈活的硬件選項,包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統(tǒng)配置與實際應用緊密協(xié)調,以確保獲得速率更快且重復性更好的工藝結果。
產(chǎn)品分類
Product Category相關文章
Related Articles詳細介紹
1. 產(chǎn)品概述
離子束刻蝕的靈活性、均勻性俱佳且應用范圍廣。我們的設備具有靈活的硬件選項,包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統(tǒng)配置與實際應用緊密協(xié)調,以確保獲得速率更快且重復性更好的工藝結果。百科:?離子束刻蝕系統(tǒng)(IBE)是一種物理刻蝕技術,利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子,并通過陽極電場加速的離子束對樣品表面進行物理轟擊,以達到刻蝕的目的。?離子束刻蝕(IBE),也稱為離子銑(Ion Beam Milling),是一種具有強方向性的物理刻蝕機理,能夠產(chǎn)生各向異性刻蝕,適用于小尺寸圖形的加工。
2. 設備特點
磁阻式隨機存取存儲器(MRAM);
介電薄膜;
III-V族光電子材料刻蝕;
自旋電子學;
金屬電極和軌道;
超導體;
激光端面鍍膜;
高反射(HR)膜;
防反射(AR)膜;
環(huán)形激光陀螺反射鏡;
X射線光學系統(tǒng);
紅外(IR)傳感器;
II-VI族材料;
通信濾波器。
產(chǎn)品咨詢