PlasmaPen™ 是PVA TePla的大氣式等離子清潔系統(tǒng)，可滿足各種表面處理要求，如表面清潔及表面活化。

SUSS MicroTecs ASx 系列為加工掩模和 250 nm 至 90 nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供了優(yōu)良的烘烤、顯影和清潔方法。其可靠性、穩(wěn)定性和高性能使平臺(tái)能夠滿足無(wú)損加工掩模的要求，用于 248 nm 和 193 nm 光刻工藝。

掩模的完整性對(duì)高標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝的成功起主要作用。MaskTrack Pro 掩膜清洗處理系統(tǒng)滿足下一代光刻節(jié)點(diǎn)在掩模清洗、烘烤和顯影工藝方面的所有標(biāo)準(zhǔn)。它是應(yīng)對(duì) 193i 1x half-pitch DPT、極紫外光刻 (EUVL) 和納米壓印光刻 (NIL)高要求的創(chuàng)新解決方案。以創(chuàng)新技術(shù)最大限度地提高光掩模性能。 MaskTrack Pro 允許用第三方的產(chǎn)品擴(kuò)展工具集群，并提供一個(gè)全面的方法

本機(jī)是一款全自動(dòng)晶片刷洗機(jī)，全程封閉環(huán)境采用機(jī)械手自動(dòng)操作，具備刷洗甩干功能，適用于各種半導(dǎo)體襯底材料拋光后的刷洗，可有效減少晶片表面顆粒污染。

該系列設(shè)備是晶圓CMP后的專用清洗設(shè)備，有單工位、轉(zhuǎn)位式、連線式等不同結(jié)構(gòu)，以適用不同應(yīng)用場(chǎng)景，其中連線式設(shè)備加配全自動(dòng)上下片系統(tǒng)。該系列設(shè)備配有漂洗、雙面刷洗、兆聲清洗、N2吹干、高速甩干功能，集成度高，占地面積小，濕進(jìn)干出，適用于各類CMP后晶圓的清洗。

該系列設(shè)備是碳化硅晶圓拋光后的專用清洗設(shè)備，采用連線式結(jié)構(gòu)，設(shè)備加配全自動(dòng)上下片系統(tǒng)。該系列設(shè)備配有漂洗、雙面刷洗、兆聲清洗、N2吹干、高速甩干功能，集成度高，占地面積小，濕進(jìn)干出，適用于碳化硅晶圓拋光后的清洗。