NMC 508系列 CCP介質(zhì)刻蝕機，多頻解耦設計，實現(xiàn)優(yōu)異的均勻性及高深寬比介質(zhì)刻蝕。

GSE C200 多功能刻蝕機等離子體源設計，保證良好的刻蝕均勻性.GSE C200采用高密度等離子體源，刻蝕速率高、均勻性好、顆?？刂颇芰姟⒁拙S護、性能穩(wěn)定。其在硅、氧化硅、氮化硅、氮化鎵、砷化鎵、磷化銦、鈮酸鋰、金屬、有機物等多種材料的刻蝕上性能優(yōu)良。本刻蝕機已進入多家IC Fab主流產(chǎn)線以及化合物等新興應用量產(chǎn)產(chǎn)線，具有快速導產(chǎn)能力，同時針對大學、科研院所提供高性價比配置。

MARS iCE120 多片碳化硅外延系統(tǒng)，產(chǎn)能大，6 英寸運營成本低,薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩(wěn)定性高。

MARS iCE115碳化硅外延系統(tǒng)主要用于4、6英寸SiC外延工藝。采用水平熱壁式技術路線，應用優(yōu)良的控溫、控壓算法和專業(yè)的進氣、混流結構，使得整個外延工藝過程中熱場和氣流場均勻穩(wěn)定。工藝指標如厚度均勻性、摻雜濃度均勻性、缺陷密度等均達到了行業(yè)優(yōu)良水平。

Satur系列 多片式MOCVD系統(tǒng)，優(yōu)異的均勻性、一致性、穩(wěn)定性控制，MOCVD 即金屬有機物化學氣相沉積，是一種用于生長化合物半導體薄膜的技術。它通過將Ⅲ族元素的有機化合物和氨氣或氧氣等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。

Hesper I E430R 12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)，優(yōu)異的氣流場和加熱場設計提供優(yōu)良的工藝性能。