12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)

簡要描述：Hesper I E430R 12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)，優(yōu)異的氣流場和加熱場設(shè)計(jì)提供優(yōu)良的工藝性能。

產(chǎn)品型號(hào)：Hesper I E430R
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時(shí)間：2024-09-05
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1. 產(chǎn)品概述

Hesper I E430R 12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)，優(yōu)異的氣流場和加熱場設(shè)計(jì)提供優(yōu)良的工藝性能。

2. 設(shè)備用途/原理

Hesper I E430R 12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)：優(yōu)異的氣流場和加熱場設(shè)計(jì)提供優(yōu)良的工藝性能，高效傳輸設(shè)計(jì)，可提高產(chǎn)能，單、雙、四腔兼容設(shè)計(jì)，可滿足不同客戶需求。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

晶圓尺寸 12 英寸，適用材料硅，適用工藝埋層外延、選擇性外延、多晶外延，適用域科研、集成電路。百科知識(shí)；?減壓硅外延系統(tǒng)的工作原理主要涉及在氫等離子體原位清潔過的硅襯底表面上，利用減壓（200～250乇）工藝在980～1000℃的溫度下生長出高質(zhì)量的外延層。?這一過程不僅優(yōu)化了外延層的生長條件，還顯著提高了外延層的結(jié)晶質(zhì)量。具體來說，通過減壓工藝，可以減小襯底-外延層界面的摻雜濃度過渡區(qū)，從常壓時(shí)的1.0μm減小到0.4μm，同時(shí)電阻率和厚度的不均勻性分別小于5%和4%。