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    當(dāng)前位置:首頁  >  產(chǎn)品中心  >  半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備  >  5 刻蝕設(shè)備  >  RIE-230iP等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備

    等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備

    簡要描述:RIE-230iP是以電感耦合等離子體為放電方式,等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備高速進行各種材料的超精細加工的負載鎖定型ICP蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過采用龍卷風(fēng)式線圈電,高效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體,可對硅及各種金屬薄膜和化合物半導(dǎo)體進行高精度的各向異性蝕刻。

    • 產(chǎn)品型號:RIE-230iP
    • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
    • 更新時間:2024-09-06
    • 訪  問  量: 502

    詳細介紹

    1. 產(chǎn)品概述

    RIE-230iP是以電感耦合等離子體為放電方式,高速進行各種材料的超精細加工的負載鎖定型ICP蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過采用的龍卷風(fēng)式線圈電,高效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體,可對硅及各種金屬薄膜和化合物半導(dǎo)體進行高精度的各向異性蝕刻。此外,?230mm的托盤可同時處理多種化合物半導(dǎo)體。

    2. 設(shè)備用途/原理

    GaN、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體的高精度加工。鐵電材料、電材料等難蝕材料的加工。

    3. 設(shè)備特點

    龍卷風(fēng)線圈電,它能有效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體,使蝕刻具有高選擇性、高精度和良好的均勻性。低損傷工藝,通過ICP產(chǎn)生高密度的等離子體,實現(xiàn)了低偏置、低損傷的工藝。溫度控制,電調(diào)和He冷卻的平臺和反應(yīng)室內(nèi)側(cè)壁的溫度控制使蝕刻在穩(wěn)定的條件下進行。


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