半導(dǎo)體激光退火機(jī)是用于半導(dǎo)體制造過程中的一種設(shè)備。退火是一種熱處理過程，通過加熱半導(dǎo)體材料來改變其性質(zhì)，以實(shí)現(xiàn)所需的特性，如電導(dǎo)率、晶體結(jié)構(gòu)和應(yīng)力緩解。半導(dǎo)體激光退火機(jī)利用高能激光束來對(duì)半導(dǎo)體基片進(jìn)行精確和控制的加熱和修改。

快速退火爐RTP主要功能：快速熱退火，快速熱氧化，快速熱氮化，擴(kuò)散，化合物半導(dǎo)體退火，離子注入后退火，電極合金化等。樣片尺寸：8inch，向下兼容，支持不規(guī)整樣品退火。退火溫度范圍：室溫~1200 ℃。4. 室溫到1000度，最快升溫速率120 ℃/second。

離子注入機(jī)是高壓小型加速器中的一種，應(yīng)用數(shù)量最多。它是由離子源得到所需要的離子，經(jīng)過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導(dǎo)體材料、大規(guī)模集成電路和器件的離子注入，還用于金屬材料表面改性和制膜等。

電鍍?cè)O(shè)備 應(yīng)用領(lǐng)域：Pillar，Bump，RDL，TSV等工藝 (3) 設(shè)備配置： 最多3個(gè)loadport ; 最多24個(gè)電鍍腔體：Cu、Ni、Sn/Ag、Au ; 最多4個(gè)預(yù)濕腔體，4個(gè)清洗腔體 ; 水平式電鍍腔體，無交叉污染 ; 支持模塊化維護(hù)，提高設(shè)備正常運(yùn)行時(shí)間