ACS300 Gen3作為模塊化系統(tǒng)，是為滿足量產環(huán)境而專門設計的。它提供了復雜的涂膠、顯影和烘烤功能，可輕松地適應各種工藝。其的工藝控制，有效地支持廣泛的使用領域。結合這一優(yōu)點，再加上有8個旋涂器模塊，該系統(tǒng)仍然是市面上占地面積最小的系統(tǒng)；這些品質都有利于減小購置成本，使得該設備對于任何具有挑戰(zhàn)性的先進封裝應用(如圓片級芯片封裝、扇出圓片級封裝、銅柱倒裝芯片封裝和3D封裝)

掩模的完整性對高標準光刻工藝的成功起主要作用。MaskTrack Pro 掩膜自動處理系統(tǒng)滿足下一代光刻節(jié)點在掩模清洗、烘烤和顯影工藝方面的所有標準。它是應對 193i 1x half-pitch DPT、極紫外光刻 (EUVL) 和納米壓印光刻 (NIL)高要求的創(chuàng)新解決方案。以創(chuàng)新技術最大限度地提高光掩模性能。 MaskTrack Pro 允許用第三方的產品擴展工具集群，并提供一個全面的方法

對應光學器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700 對應光學器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700是搭載了磁性中性線（NLD- neutral loop discharge）等離子源的量產用干法刻蝕裝置。（可實現(xiàn)產生低壓、低電子溫度、高密度的等離子）

干法刻蝕設備 APIOS NE-950EX 對應LED量產用的干法刻蝕設備?NE-950EX?相對我司以往設備實現(xiàn)了140%的生產力。是搭載了ICP高密度等離子源和愛發(fā)科自有的星型電的干法刻蝕設備。

研究開發(fā)向NLD干法刻蝕設備NLD-570 研究開發(fā)向NLD干法刻蝕設備NLD-570，是搭載了愛發(fā)科磁性中性線（NLD- neutral loop discharge）等離子源的裝置，此NLD技術可實現(xiàn)產生低壓、低電子溫度、高密度的等離子。

高密度等離子刻蝕裝置ULHITETM NE-7800H 高密度等離子客戶裝置ULHITE NE-7800H是對應刻蝕FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM等器件所用的高難度刻蝕材料（強電介質層、貴金屬、磁性膜等）的Multi-Chamber型低壓高密度等離子刻蝕設備。