設(shè)計PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應(yīng)力、電學(xué)特性和濕法化學(xué)刻蝕速率的前提下，生產(chǎn)均勻性好且沉積速率高的薄膜。 PlasmaPro 100 PECVD 由于電極溫度均勻性和電極中的噴淋頭設(shè)計，可提供出色的保形沉積和低顆粒生成，允許射頻能量產(chǎn)生等離子體。等離子體的高能反應(yīng)性物質(zhì)提供高沉積速率，以達到所需的基板厚度，同時保持低壓。其雙頻 13.56MHz 和 100KHz 功率應(yīng)

該ICPCVD工藝模塊設(shè)計用于在低生長溫度下生產(chǎn)高質(zhì)量的薄膜，通過高密度遠程等離子體實現(xiàn)，從而實現(xiàn)優(yōu)秀的薄膜質(zhì)量，同時減少基板損傷。

Beneq C2R 將等離子體增強原子層沉積 （PEALD） 工藝提升到一個全新的水平 – PEALD 可用于大批量生產(chǎn)。由于采用等離子體增強旋轉(zhuǎn)原子層沉積工藝，Beneq C2R 是厚原子層沉積膜的理想選擇，甚至可達幾微米。

用于電池、太陽能和柔性電子產(chǎn)品的功能性原子層沉積涂層，是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應(yīng)用的理想選擇。各種類型鋰離子和固態(tài)電池的陰極和陽極的鈍化，用于柔性太陽能電池的導(dǎo)電層和封裝，用于柔性電子產(chǎn)品的防潮層。

詳細介紹 Shale® A系列等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD），通過平行電容板電場放電產(chǎn)生等離子體，可以在400℃及以下沉積比較致密、均勻性較好的氧化硅、TEOS、BPSG、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。該設(shè)備采用了8英寸產(chǎn)線設(shè)備所通用的國際標(biāo)準(zhǔn)零部件，符合SEMI的設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)，并通過了嚴苛的穩(wěn)定性和可靠性測試驗證。

Shale® C系列電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備（ICP-CVD），通過電感耦合（ICP）產(chǎn)生高密度等離子體，并通過電容耦合（CCP）產(chǎn)生偏壓，可實現(xiàn)低溫、高致密、低損傷、優(yōu)填充能力的薄膜沉積工藝。該設(shè)備采用了8英寸產(chǎn)線設(shè)備所通用的國際標(biāo)準(zhǔn)零部件，符合SEMI的設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)，并通過了嚴苛的穩(wěn)定性和可靠性測試驗證。