原子層沉積

材料選擇

多種 ALD 材料可供選擇，可滿足您的要求。 多年來(lái)，Beneq 一直是用于研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)的卷對(duì)卷原子層沉積系統(tǒng)的先驅(qū)。我們的常用材料包括 Al?O?、TiO?、ZnO、ZnS、SiO? 或可根據(jù)要求提供的任何其他材料。

功能亮點(diǎn)

• 卷筒紙寬度：最大420mm

• ALD鍍膜厚度：最大100nm

• 動(dòng)態(tài)沉積速率 （Al2O3）： 10 nm *m/min

• 過(guò)程溫度：最高 250°C

定制

在最大420mm的卷筒紙寬度下，Genesis ALD適用于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)或中試規(guī)模生產(chǎn)。 設(shè)計(jì)用于將 ALD 薄膜處理到聚合物或金屬等柔性基材上。通過(guò)與我們的合作伙伴 E+R Group（卷對(duì)卷真空鍍膜機(jī)公司）合作，我們?yōu)榭蛻籼峁└鼘挼木硗布埡蜕a(chǎn)線集成的可選設(shè)計(jì)。

市場(chǎng)和應(yīng)用

用于電池、太陽(yáng)能和柔性電子產(chǎn)品的功能性原子層沉積涂層。 Genesis ALD 是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應(yīng)用的理想選擇。

• 各種類型鋰離子和固態(tài)電池的陰極和陽(yáng)極的鈍化

• 用于柔性太陽(yáng)能電池的導(dǎo)電層和封裝

• 用于柔性電子產(chǎn)品的防潮層