等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)

簡要描述：PD-200STL是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(>300nm/min)等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)TEOS源，以低應(yīng)力沉積SiO2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100μm）。PD-200STL具有時尚、緊湊的設(shè)計，只需要小的潔凈室空間。

產(chǎn)品型號：PD-200STL
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時間：2024-09-06
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1. 產(chǎn)品概述

PD-200STL是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(>300nm/min)等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)TEOS源，以低應(yīng)力沉積SiO2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100μm）。PD-200STL具有時尚、緊湊的設(shè)計，只需要小的潔凈室空間。

2. 設(shè)備用途/原理

塑料材料上保護(hù)膜的沉積在3D LSI的通孔側(cè)壁上沉積絕緣膜。光波導(dǎo)的制造（光纖芯/包層）。制造用于微型機(jī)械生產(chǎn)的面罩。覆蓋高縱橫比結(jié)構(gòu)，如MEMS器件。SAW設(shè)備的溫度補(bǔ)償膜和鈍化膜。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

加工范圍達(dá)?200毫米（8"）。陰耦合自偏析沉積技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)低應(yīng)力薄膜的高速（>300nm/min）沉積。通過低溫沉積，可以在塑料表面上沉積薄膜。高縱橫比結(jié)構(gòu)的優(yōu)秀階梯覆蓋率，使用鍺、磷、硼液源控制折射率。PD-200STL設(shè)計時尚、緊湊，只需要小的潔凈室空間。

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