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    當(dāng)前位置:首頁  >  產(chǎn)品中心  >  半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備  >  3 CVD  >  PD-220N化學(xué)氣相沉積等離子體CVD系統(tǒng)

    化學(xué)氣相沉積等離子體CVD系統(tǒng)

    簡要描述:PD-220N是用于沉積各種硅薄膜(SiO2、Si3N4等)的等離子體CVD系統(tǒng)。 PD-220N在提供薄膜沉積所需的全部功能的同時(shí),占地面積比本公司的傳統(tǒng)系統(tǒng)小40%。 從研究到半大規(guī)模生產(chǎn),它的應(yīng)用范圍很廣。

    • 產(chǎn)品型號:PD-220N
    • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
    • 更新時(shí)間:2024-09-04
    • 訪  問  量: 275

    詳細(xì)介紹

    1. 產(chǎn)品概述

    PD-220N是用于沉積各種硅薄膜(SiO2、Si3N4等)的等離子體CVD系統(tǒng)。 PD-220N在提供薄膜沉積所需的全部功能的同時(shí),占地面積比本公司的傳統(tǒng)系統(tǒng)小40%。 從研究到半大規(guī)模生產(chǎn),它的應(yīng)用范圍很廣。

    2. 設(shè)備用途/原理

    各種硅基薄膜的形成,可形成氮化硅膜、氧化硅膜、非晶硅膜。

    3. 設(shè)備特點(diǎn)

    可在?8英寸晶圓上沉積盡管設(shè)計(jì)緊湊,但該系統(tǒng)能夠在5塊?3英寸晶圓、3塊?4英寸晶圓和1塊?8英寸晶圓上同時(shí)沉積。TEOS-SiO2成膜系統(tǒng)可擴(kuò)展,可增加TEOS等溫室裝置。等離子體化學(xué)氣相沉積(plasmachemical vapor deposition)是指用等離子體激活反應(yīng)氣體,促進(jìn)在基體表面或近表面空間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。按產(chǎn)生等離子體的方法,分為射頻等離子體、直流等離子體和微波等離子體CVD等。


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