碳化硅高溫氧化爐

簡要描述：VERIC A6151A 碳化硅高溫氧化爐，適用于碳化硅高溫激活 & 退火的設(shè)備,最高溫度 2000℃，升溫速率可達 100℃/min,石墨電阻加熱，工藝腔室潔凈。

產(chǎn)品型號：VERIC A6151A
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時間：2024-09-05
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詳細介紹

1. 產(chǎn)品概述

VERIC A6151A 碳化硅高溫退火爐,適用于碳化硅高溫激活 & 退火的設(shè)備。

2. 設(shè)備用途/原理

VERIC A6151A 碳化硅高溫退火爐，適用于碳化硅高溫激活 & 退火的設(shè)備，高溫度 2000℃，升溫速率可達 100℃/min。石墨電阻加熱，工藝腔室潔凈。自動裝片，Cassette to Cassette。SEMI S2/S6 認證。

3. 設(shè)備特點

晶圓尺寸 4/6 英寸兼容，適用材料碳化硅、氮化鋁，適用工藝注入后激活、Ar 退火、Ar/H2 退火、溝槽平滑，適用域科研、化合物半導體。百科：退火爐的原理?主要涉及通過控制加熱和冷卻過程中的溫度和時間，以改變半導體材料的性質(zhì)或結(jié)構(gòu)，從而實現(xiàn)對材料的精確控制和優(yōu)化處理。這種設(shè)備通常被稱為RTP（Rapid Thermal Processing）快速退火爐。RTP退火爐的關(guān)鍵特點包括快速升溫、保持溫度、冷卻階段以及氣體控制。