區(qū)熔晶體生長系統(tǒng)

在FZ-30和FZ-35區(qū)熔晶體生長系統(tǒng)中，可以分別以高達(dá)3 bar和5 bar的超壓產(chǎn)生氬氣氣體，用以培育大晶體。同時，上主軸和線圈都可實(shí)現(xiàn)自動定位。在FZ-30中，上主軸可以在X或Y方向上移動。兩種系統(tǒng)類型都能夠以受控方式將氮?dú)庖牍に嚑t體。PVA TePla為您提供更多個性化選擇，例如用于摻雜晶體的氣體摻雜系統(tǒng)、封閉式去離子冷卻水系統(tǒng)、源棒的修整器和調(diào)整籽晶方向的系統(tǒng)。

產(chǎn)品數(shù)據(jù)概覽:

材料：硅

晶體

晶體拉動長度： 2,700 mm

晶體直徑： 長達(dá) 200 mm (8")

極限真空度： 2.5 x 10-5 mbar

最大過壓： FZ-30: 3.0 bar(g)

FZ-35: 5.0 bar(g)

發(fā)電機(jī)

輸出電壓： 120 kW

頻率： 2.4 MHz

上軸

進(jìn)料速度： 高達(dá) 30 mm/min

上部旋轉(zhuǎn)： 高達(dá) 30 rpm

下軸

拉動速度： 最高 30 mm/min

下部旋轉(zhuǎn)： 最高 30 rpm

尺寸規(guī)格

高度： 11,550 mm

寬度： 3,800 mm

深度： 4,050 mm

面積（總計(jì)）: 5,000 x 6,000 mm

重量（總計(jì)）： 約14,000 kg區(qū)熔（FZ）技術(shù)作為提純方法為生產(chǎn)高電阻率的超純硅單晶提供了技術(shù)可行性，該技術(shù)可應(yīng)用于高性能電子和半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。其另一優(yōu)點(diǎn)是可以從氣相中連續(xù)摻入，這使得在整個晶體的電阻率沿長度方向保持一致。因此，幾乎可以在整個晶體上均勻地實(shí)現(xiàn)所需的電性能。由于電荷載流子的高壽命和極低的氧含量（無坩堝工藝），FZ晶體同樣也適用于光伏行業(yè)。

區(qū)熔（FZ）技術(shù)作為提純方法與CZ直拉工藝等競爭方法相比，FZ工藝的優(yōu)勢在于只有緊鄰感應(yīng)線圈的一小部分晶體需要被熔化，無需使用石英坩堝（每爐次耗用一個），可實(shí)現(xiàn)高拉速，因此降低了耗材成本的同時也降低了能源成本。此外，無論是從硅還是其他合適的材料中提取的晶體，可以通過多次處理，顯著地提高純度。