電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備

極其強(qiáng)大的優(yōu)良研究工具

設(shè)計用于適應(yīng)特定的薄膜應(yīng)用，如 GMR、CMS、半導(dǎo)體、納米級器件、光子學(xué)和光伏

系統(tǒng)設(shè)計可以配置為真正的超高真空性能

經(jīng)過現(xiàn)場測試和驗證的設(shè)計

真空室

• 適應(yīng)性強(qiáng)的腔室、底板和基板選項

• 18“ D x 15" H 不銹鋼工藝室

基板處理

• 旋轉(zhuǎn)基板，適用于最大 150 毫米（6 英寸）基板

• 使用石英燈加熱器將基板加熱至800°C

• 單晶圓或多晶圓負(fù)載鎖定，帶手動或計算機(jī)控制的樣品轉(zhuǎn)移

• 高精度PID溫度控制回路（配備基板加熱時）

泵送和測量

• 1500 l/s 低溫泵

• 寬量程真空計，atm 至 1x10-10托

• 高精度閉環(huán)壓力控制（濺射應(yīng)用的上游和下游）

沉積源

• 氣動源和基板百葉窗

• 可配置六個或更多磁控沉積源

• 交叉污染屏蔽（如適用）

質(zhì)量與安全

• 計算機(jī)控制，手動或全自動操作

• 提供 CE 標(biāo)志、UL 列表、CSA、NRTL 和其他行業(yè)認(rèn)可的測試認(rèn)證

• 擠壓鋁框架，帶外殼板

• 單業(yè)務(wù)分接配電模塊

基板處理

• 旋轉(zhuǎn)基板，適用于最大 200 毫米（8 英寸）基板

• 用于樣品清潔的基質(zhì)偏置（通常是射頻等離子體，用于去除天然氧化層）

• 沉積過程中的襯底偏置會影響薄膜微觀結(jié)構(gòu)的特征（如晶體取向），提高薄膜致密化，促進(jìn)薄膜粘附力，并促進(jìn)提高共濺射合金薄膜的薄膜均勻性

• 使用元件式加熱器將基板加熱至1100°C

• 基板冷卻（液體和/或 LN2）

• 用于涂覆基材兩側(cè)的樣品翻轉(zhuǎn)夾具

• 薄膜成型工具（刀片安裝在高精度計算機(jī)控制臂上）

• 基板上的可轉(zhuǎn)位磁場

• 原位薄膜分析（光學(xué)過程監(jiān)測儀、RHEED 或光譜橢偏儀）