CMP

簡(jiǎn)要描述：GnP POLI-610專為藍(lán)寶石等復(fù)合晶圓的CMP工藝開發(fā)而設(shè)計(jì)。特別是該系統(tǒng)對(duì)于晶圓工藝開發(fā)具有較低的擁有成本，材料評(píng)估和生產(chǎn)前運(yùn)行。

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詳細(xì)介紹

1. 產(chǎn)品概述

GnP POLI-610專為藍(lán)寶石等復(fù)合晶圓的CMP工藝開發(fā)而設(shè)計(jì)。特別是該系統(tǒng)對(duì)于晶圓工藝開發(fā)具有較低的擁有成本，材料評(píng)估和生產(chǎn)前運(yùn)行。

2. 規(guī)格

機(jī)頭，工作臺(tái):30~ 200rpm，旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，機(jī)頭振蕩(±12mm)

尺寸:1200W* 1290D * 1960H mm

壓板尺寸:0635毫米(25英寸)，陽(yáng)極氧化鋁(可選:特氟龍涂層)

壓制方式:可變空氣壓力

電子控制器載體類型:350kgfWafer Down Force & Conditioning Load Monitoring System

工藝:自動(dòng)順序，干/濕

選項(xiàng)墊式調(diào)理方式:振蕩頭式

雙頭系統(tǒng):振蕩頭式

摩擦力和溫度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)

應(yīng)用程序

工件:最多8 ea的3英寸晶圓/運(yùn)行，最多6 ea的4英寸晶圓/運(yùn)行

CMP工藝:SiC、GaN、藍(lán)寶石等復(fù)合晶圓的CMP工藝。

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