晶圓濕法清洗工作臺(tái)

1. 產(chǎn)品概述

WaferStorm平臺(tái)是先進(jìn)封裝、MEMS、射頻、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和光子學(xué)市場(chǎng)中許多關(guān)鍵溶劑型工藝的行業(yè)選擇。有 2 個(gè)版本——手動(dòng)加載 （ML） 和 3300 系列平臺(tái)。ML系統(tǒng)非常適合研發(fā)和試驗(yàn)環(huán)境。3300 系列平臺(tái)是該行業(yè)的大批量主力軍。

3300 系列架構(gòu)非常靈活，因?yàn)楦鶕?jù)吞吐量要求，用戶每個(gè)系統(tǒng)多可以有 8 個(gè)腔室。此外，該系統(tǒng)能夠處理多種晶圓尺寸和晶圓類型，只需進(jìn)行少的硬件修改。后，工藝室可以垂直堆疊，從而實(shí)現(xiàn)小的系統(tǒng)占地面積。

2. 系統(tǒng)架構(gòu)

大容量平臺(tái) – 3300 系列

1 – 10 腔室模塊化系統(tǒng)

占地面積小 - 堆疊腔室

機(jī)上化學(xué)品供應(yīng)

多種晶圓尺寸 - 50 至 300mm

多種襯底類型 – Si、LiTaO3、藍(lán)寶石、玻璃

用于研發(fā)的手動(dòng)裝載平臺(tái) – ML

單腔 - 手動(dòng)負(fù)載

3. 溶劑應(yīng)用

金屬升空

金屬剝離 （MLO） 是化合物半導(dǎo)體和射頻市場(chǎng)中的關(guān)鍵過(guò)程，在化合物半導(dǎo)體和射頻市場(chǎng)中，金屬在不損壞底層基板的情況下無(wú)法輕松蝕刻。采用ImmJET技術(shù)的WaferStorm系統(tǒng)是全球金屬升降的導(dǎo)者。ImmJET技術(shù)是批量浸泡和單晶圓噴涂加工的結(jié)合。浸泡步驟使用加熱的溶劑進(jìn)行攪拌。通過(guò)浸泡軟化后，晶圓被轉(zhuǎn)移到單晶圓噴涂站，在那里它們暴露在帶有加熱溶劑的高壓風(fēng)扇噴涂中，以快速去除厚膜殘留物。這種組合確保了工藝性能，同時(shí)與濕式工作臺(tái)和單晶圓解決方案相比，保持了低的CoO。

4. 光刻膠/干膜條

采用 ImmJET 技術(shù)的 WaferStorm 系統(tǒng)為光刻膠條和干膜條應(yīng)用提供了工藝性能和較低的擁有成本。特別是，當(dāng)光刻膠較厚且難以去除時(shí)，浸泡和高壓噴涂相結(jié)合可確保材料去除。此外，有的過(guò)濾技術(shù)可實(shí)現(xiàn)低停機(jī)時(shí)間和高生產(chǎn)率。

5. 助焊劑清潔

在先進(jìn)封裝中，助焊劑清潔對(duì)于晶圓凸塊和接頭形成過(guò)程都至關(guān)重要，因?yàn)樗梢匀コ附硬牧狭粝碌难趸瘜雍推渌s質(zhì)，從而確保下一個(gè)組裝步驟的金屬界面干凈。液體助焊劑被輸送到凸起的表面，必須使用額外的清潔步驟來(lái)去除留下的殘留物。隨著凸塊間距變得越來(lái)越細(xì)，去除助焊劑殘留物變得越來(lái)越具有挑戰(zhàn)性。Veeco 在 WaferStorm 平臺(tái)上有的浸泡和噴涂技術(shù)特別適用于從狹窄的間距中去除助焊劑殘留物。

6. 洗滌

Veeco PSP 的單面和雙面單晶圓清洗技術(shù)可為許多應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高效顆粒去除。Veeco 獲得利的雙面 PVA 刷系統(tǒng)可清潔頂部、底部和側(cè)面。此外，還提供額外的單面 PVA 刷刷擦洗技術(shù)以及高速噴涂 （HVS） 和 Megasonics，可在所有尺寸的晶圓上獲得有效的清潔效果。

7. TSV 清潔

TSV 清潔是一個(gè)關(guān)鍵的工藝步驟，對(duì)可靠性至關(guān)重要。深度反應(yīng)離子蝕刻 （DRIE） 工藝會(huì)留下聚合物殘留物，從而導(dǎo)致隨后的屏障、晶種和填充步驟中出現(xiàn)缺陷和空隙。采用 ImmJET 技術(shù)的 WaferStorm 依靠浸入式和高壓噴涂工藝的順序組合來(lái)去除高縱橫比孔中的殘留物，這些殘留物是僅使用工作臺(tái)或僅噴涂工具濕式工具留下的。