等離子體沉積ALD

簡要描述：等離子體沉積ALD AD-230LP是一種原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，能夠在原子水平上控制薄膜厚度。有機(jī)金屬原料和氧化劑交替供給反應(yīng)室，僅通過表面反應(yīng)進(jìn)行薄膜沉積。該系統(tǒng)具有負(fù)載鎖定室，且不向大氣開放反應(yīng)室，因此能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜沉積的優(yōu)良再現(xiàn)性。

產(chǎn)品型號：AD-230LP
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時間：2024-09-06
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1. 產(chǎn)品概述

AD-230LP是一種原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，能夠在原子水平上控制薄膜厚度。有機(jī)金屬原料和氧化劑交替供給反應(yīng)室，僅通過表面反應(yīng)進(jìn)行薄膜沉積。該系統(tǒng)具有負(fù)載鎖定室，且不向大氣開放反應(yīng)室，因此能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜沉積的優(yōu)良再現(xiàn)性。

2. 設(shè)備用途/原理

氮化膜（AlN、SiN）的形成和低溫形成的氧化膜（AlOx、SiO2）。電子設(shè)備的閘門絕緣子。半導(dǎo)體、有機(jī)EL等的鈍化膜。半導(dǎo)體激光器的反射面。在MEMS等3D結(jié)構(gòu)上的沉積。石墨烯上的沉積。碳納米管保護(hù)膜粉末涂層。

3. 設(shè)備特點

可以在原子層水平上實現(xiàn)均勻的層控制。可實現(xiàn)高縱橫比結(jié)構(gòu)的共形沉積。具有優(yōu)良的平面內(nèi)均勻性和再現(xiàn)性，實現(xiàn)了穩(wěn)定的工藝。采用反應(yīng)室結(jié)構(gòu)，優(yōu)化了原料的氣路和氣體流，抑制了粒子。通過采用電容耦合等離子體(CCP)系統(tǒng)，使反應(yīng)室體積小化，縮短了氣體吹掃時間，加快了一個循環(huán)的速度。

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