電感耦合等離子體刻蝕

1. 產(chǎn)品概述

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統(tǒng)利用高密度電感耦合等離子體實(shí)現(xiàn)快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝，適用于大尺寸為200毫米的晶圓，支持包括GaAs和InP激光光電子、SiC和GaN電力電子/射頻以及MEMS和傳感器在內(nèi)的多個(gè)市場(chǎng)域。

高刻蝕速率和高選擇性

低損傷刻蝕和高可重復(fù)性加工

單晶圓裝載鎖定或可與多達(dá)5個(gè)工藝模塊集群

He背面冷卻，以實(shí)現(xiàn)佳溫度控制

寬溫度范圍電，-150°C至400°C

與所有大尺寸為200毫米的晶圓兼容

晶圓尺寸之間的快速轉(zhuǎn)換

原位腔室清潔和終點(diǎn)控制功能

2. 特色參數(shù)

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統(tǒng)利用高密度電感耦合等離子體實(shí)現(xiàn)快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝，適用于大尺寸為200毫米的晶圓，支持包括GaAs和InP激光光電子、SiC和GaN電力電子/射頻以及MEMS和傳感器在內(nèi)的多個(gè)市場(chǎng)域。

晶圓尺寸：大可達(dá)200mm

ICP源尺寸可選：65mm和300mm

溫度范圍：從-150°C到400°C

集群：多達(dá)5個(gè)模塊，包括 ALD、PECVD、離子束刻蝕和離子束沉積等技術(shù)