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    電子束光刻機(jī)

    簡(jiǎn)要描述:ELS-BODEN Σ這是ELONIX自創(chuàng)業(yè)以來(lái)多年來(lái)一直致力于開(kāi)發(fā)的新型號(hào)的電子束光刻機(jī)。 采用模塊系統(tǒng),可以自由組合加速電壓、腔室尺寸、傳輸機(jī)構(gòu)和防振臺(tái),為每個(gè)應(yīng)用構(gòu)建佳單元。

    • 產(chǎn)品型號(hào):ELS-BODEN Σ
    • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
    • 更新時(shí)間:2024-09-06
    • 訪  問(wèn)  量: 342

    詳細(xì)介紹

    1 產(chǎn)品概述:

        電子束光刻(E-beam Lithography,簡(jiǎn)稱EBLEBD)設(shè)備,是在電子顯微鏡基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種用于微電路研究和制造的曝光技術(shù)。它作為半導(dǎo)體微電子制造及納米科技的關(guān)鍵設(shè)備,主要通過(guò)高能量電子束與光刻膠的相互作用,實(shí)現(xiàn)高精度的曝光和圖形制作。電子束光刻設(shè)備主要包括電子光學(xué)系統(tǒng)、圖形發(fā)生器系統(tǒng)、真空系統(tǒng)以及高精度運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)等核心組件。

    2 設(shè)備用途:

    電子束光刻設(shè)備具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,主要包括:

    1. 半導(dǎo)體制造:用于制作光刻掩模版,是半導(dǎo)體芯片制造中一部分。特別是在EUV光刻機(jī)掩模版的制作上,目前只能依賴于電子束光刻技術(shù)。

    2. 納米科學(xué)技術(shù)研究:由于電子束光刻具有的分辨率,它能夠制造出微米甚至亞微米級(jí)別的精細(xì)結(jié)構(gòu),因此在納米科技領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

    3. 集成電路制造:在集成電路的制造過(guò)程中,電子束光刻技術(shù)用于制作高精度、高密度的芯片結(jié)構(gòu),提高芯片的性能和可靠性。

    3 設(shè)備特點(diǎn)

    電子束光刻設(shè)備具有以下顯著特點(diǎn):

    1. 高分辨率:相比于傳統(tǒng)光刻技術(shù),電子束光刻技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更高的分辨率,能夠制造出更精細(xì)的圖案和結(jié)構(gòu)。

    2. 高精度:電子束光刻設(shè)備具有制造精度,能夠滿足微納加工領(lǐng)域?qū)鹊膰?yán)格要求。

    3. 靈活性:電子束光刻技術(shù)可以靈活曝光任意圖形,適應(yīng)不同形狀和尺寸的加工需求。

    4. 高速度:現(xiàn)代電子束光刻設(shè)備已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了高速、連續(xù)的加工過(guò)程,大大提高了生產(chǎn)效率。

    5. 真空環(huán)境:設(shè)備中的真空系統(tǒng)提供了穩(wěn)定的真空環(huán)境,消除了空氣對(duì)加工過(guò)程的干擾,保證了設(shè)備的穩(wěn)定性和生產(chǎn)效率。


    4
    技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn):

    電子槍

    ZrO/W熱場(chǎng)發(fā)射型

    加速電壓

    50 kV




    光束電流

    1 nA 800 nA




    小光束直徑

    D 2.8   nm




    標(biāo)準(zhǔn)寫(xiě)場(chǎng)大小

    1000   μm□




    /大寫(xiě)場(chǎng)大小

    100 μm

    大(選項(xiàng))3000 μm

    掃描頻率

    400 MHz

    發(fā)射間距

    0.2 nm

    大試樣尺寸

    8" 晶片 / 12" 晶片

    大繪圖區(qū)域

    200 mm   x 200 mm / 300 mm x 300 mm

    輸送機(jī)構(gòu)

    單自動(dòng)加載器

    機(jī)器人裝載機(jī)

    Software

    elms

    束流調(diào)整功能

    曝光文件功能

    圖案數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換功能

    帳戶管理功能

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