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    電容耦合等離子體刻蝕(CCP)設(shè)備

    簡(jiǎn)要描述:詳細(xì)介紹
    CCP腔室適用于制造微納結(jié)構(gòu)的等離子刻蝕技術(shù)。在反應(yīng)離子刻蝕過(guò)程中,等離子體中會(huì)包含大量的活性粒子,與表面原子產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),生成可揮發(fā)產(chǎn)物后,隨真空抽氣系統(tǒng)排出。魯汶儀器的 Haasrode® Avior® A 在性價(jià)比和空間利用率上優(yōu)點(diǎn)突出,可提供各種不同材料的刻蝕解決方案。

    • 產(chǎn)品型號(hào):Haasrode® Avior® A
    • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
    • 更新時(shí)間:2024-09-04
    • 訪  問(wèn)  量: 394

    詳細(xì)介紹

    電容耦合等離子體刻蝕(CCP)設(shè)備

    1. 產(chǎn)品概述:

    CCP腔室適用于制造微納結(jié)構(gòu)的等離子刻蝕技術(shù)。在反應(yīng)離子刻蝕過(guò)程中,等離子體中會(huì)包含大量的活性粒子,與表面原子產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),生成可揮發(fā)產(chǎn)物后,隨真空抽氣系統(tǒng)排出。魯汶儀器的 Haasrode® Avior® A 在性價(jià)比和空間利用率上優(yōu)點(diǎn)突出,可提供各種不同材料的刻蝕解決方案。

    單腔室電容耦合等離子體(CCP)機(jī)適用于光刻膠殘膠去除(打底膜)、介質(zhì)刻蝕等工藝可用于6英寸及以下晶圓

    2. 系統(tǒng)特性

    單腔室電容耦合等離子體(CCP)機(jī)臺(tái)

    適用于光刻膠殘膠去除(打底膜)、介質(zhì)刻蝕等工藝

    可用于6英寸及以下晶圓



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