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當前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導體前道工藝設備 > 1 光刻設備 > DWL 2000 GS / DWL 4000 GS激光光刻機
簡要描述：DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 激光光刻系統(tǒng)是快速、靈活的高分辨率圖形發(fā)生器。它們針對工業(yè)級灰度光刻進行了優(yōu)化，設計用于集成電路、MEMS、微光學和微流體器件、傳感器、全息圖以及防偽特征的掩模和晶圓的高通量圖案化。專業(yè)灰度光刻模式可以在大面積的厚光刻膠中對復雜的 2.5D 結(jié)構(gòu)進行圖案化。最小特征尺寸為 500 nm，寫入?yún)^(qū)域最大為 400 x 400 mm
產(chǎn)品型號：DWL 2000 GS / DWL 4000 GS廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時間：2024-08-12訪 問 量： 384產(chǎn)品分類
Product Category詳細介紹
| 寫入模式 | 我 | 第二 | 第三 | 四 | V |
|---|---|---|---|---|---|
| 寫作性能 - 灰度 | |||||
| 覆蓋層 [3σ， nm]（超過 8“ x 8"） | 300 | ||||
| 像素網(wǎng)格灰度 [nm] | 100 | 200 | 250 | 500 | 1000 |
| 寫入速度 DWL 2000 GS [mm2/分鐘] | 12 | 50 | 75 | 270 | 870 |
| 寫入速度 DWL 4000 GS [mm2/分鐘] | 12 | 50 | 75 | 270 | 1000 |
| 暴露時間 DWL 2000 GS：適用于 200 mm x 200 mm [小時] | 51 | 13.5 | 9 | 2.5 | 0.8 |
| 曝光時間 DWL 4000 GS：適用于 400 mm x 400 mm [小時] | 223 | 54 | 36 | 10 | 3 |
| 最大劑量 [mJ/cm2 ] | 5600 | 1400 | 900 | 225 | 50 |
| 寫入性能 - 二進制 | |||||
| 最小特征尺寸 [μm] | 0.5 | 0.7 | 0.8 | 1 | 2 |
| 最小行數(shù)和間距 [μm] | 0.7 | 0.9 | 1 | 1.5 | 3 |
| 地址網(wǎng)格 [nm] | 5 | 10 | 12.5 | 25 | 50 |
| 邊緣粗糙度 [3σ， nm] | 40 | 50 | 60 | 80 | 110 |
| CD均勻度 [3σ， nm] | 60 | 70 | 80 | 130 | 180 |
| 注冊 [3σ， nm] | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 |
| 寫入速度 [mm2/minute] DWL 2000 GS | 12 | 50 | 75 | 270 | 870 |
| 寫入速度 [mm2/minute] DWL 4000 GS | 12 | 50 | 75 | 270 | 1000 |
| 系統(tǒng)特點 | |
|---|---|
| 光源 | 405 nm 的二極管激光器 |
| 最大基板尺寸 | DWL 2000 GS：9 英寸 x 9 英寸 / DWL 4000 GS：17 英寸 x 17 英寸 |
| 基板厚度 | 0 至 12 mm |
| 最大曝光面積 | DWL 2000 GS：200 x 200 平方毫米 / DWL 4000 GS：400 x 400 平方毫米 |
| 溫控流量箱 | 溫度穩(wěn)定性 ± 0.1°，ISO 4 環(huán)境 |
| 實時自動對焦 | 光學自動對焦或氣壓計自動對焦 |
| 自動對焦補償范圍 | 80微米 |
| 系統(tǒng)尺寸 | |
| 光刻單元 （寬度×深度×高度）;重量 | 2350 毫米× 1650 毫米× 2100 毫米;3000 千克 |
| 電子架 （寬度×深度×高度）;重量 | 800 毫米× 600 毫米× 1800 毫米;180 千克 |
| 安裝要求 | |
| 電氣 | 400 VAC ± 5 %， 50/60 赫茲， 16 A |
| 壓縮空氣 | 6 - 10 巴 |
| 潔凈室 | 建議使用 ISO 6 或更高 |
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