ICPCVD

直開(kāi)式設(shè)計(jì)允許快速裝卸晶圓

出色的刻蝕控制和速率測(cè)定

出色的晶圓溫度均勻性

晶圓最大可達(dá)200mm

購(gòu)置成本低

符合半導(dǎo)體行業(yè) S2 / S8標(biāo)準(zhǔn)

小型系統(tǒng)——易于安置

優(yōu)化了的電極冷卻——襯底溫度控制

高導(dǎo)通的徑向（軸對(duì)稱）抽氣結(jié)構(gòu)—— 確保提升了工藝均勻性和速率

增加<500毫秒的數(shù)據(jù)記錄功能——可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄

近距離耦合渦輪泵——提供優(yōu)。越的泵送速度加快氣體的流動(dòng)速度

關(guān)鍵部件容易觸及——系統(tǒng)維護(hù)變得直接簡(jiǎn)單

X20控制系統(tǒng)——大幅提高了數(shù)據(jù)信息恢復(fù)功能， 同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)更快更可重復(fù)的匹配

通過(guò)前端軟件進(jìn)行設(shè)備故障診斷——故障診斷速度快

用干涉法進(jìn)行激光終點(diǎn)監(jiān)測(cè)——在透明材料的反射面上測(cè)量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來(lái)確定非透明材料 (如金屬) 的邊界

用發(fā)射光譜（OES）實(shí)現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)—— 監(jiān)測(cè)刻蝕副產(chǎn)物或反應(yīng)氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)

應(yīng)用：

III-V族刻蝕工藝

硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝

類金剛石

類金剛石（DLC）沉積

二氧化硅和石英刻蝕

用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進(jìn)行失效分析的干法刻蝕解剖逆工藝，可處理封裝好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圓

高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途

用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕