離子注入設(shè)備

1 產(chǎn)品概述:

    SiC用高溫離子注入設(shè)備，如愛(ài)發(fā)科（ULvac）公司推出的IH-860DSIC，是專(zhuān)為SiC功率器件工藝制程中離子注入和激活退火技術(shù)難題設(shè)計(jì)的專(zhuān)用設(shè)備。該設(shè)備搭載了高溫ESC（靜電吸附卡盤(pán)），能夠在高溫環(huán)境下實(shí)現(xiàn)高能粒子的連續(xù)注入，有效解決了SiC晶圓在離子注入過(guò)程中易產(chǎn)生結(jié)晶缺陷的問(wèn)題。

2 設(shè)備用途：

    SiC用高溫離子注入設(shè)備主要用于SiC功率器件（如SiC-SBD和SiC-MOSFET）的生產(chǎn)工藝中，特別是在離子注入和激活退火環(huán)節(jié)。通過(guò)該設(shè)備，可以實(shí)現(xiàn)高溫下的高能離子注入，控制注入離子的濃度和深度，從而改善SiC器件的物理特性、表面特性及電學(xué)特性。這對(duì)于提升SiC功率器件的性能和可靠性至關(guān)重要。

3 設(shè)備特點(diǎn)

  高溫處理能力：設(shè)備能夠在500℃的高溫下進(jìn)行離子注入，有效控制SiC晶圓在注入過(guò)程中產(chǎn)生的結(jié)晶缺陷。

  高能粒子注入：支持高能量的離子注入，如1價(jià)離子可注入至350keV（Option: 430keV），2價(jià)離子可注入至700keV（Option: 860keV），滿(mǎn)足SiC晶圓對(duì)注入能量的高要求。

  高吞吐量：通過(guò)采用可調(diào)溫的靜電吸盤(pán)和雙工位系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了晶圓在真空腔內(nèi)的連續(xù)更換和高溫處理，將吞吐量提升至30枚/小時(shí)（支持直徑為75mm-150mm的晶圓），滿(mǎn)足量產(chǎn)需求。

  自動(dòng)化與智能化：設(shè)備具備自動(dòng)連續(xù)高溫處理注入的功能，減輕了操作員的負(fù)擔(dān)，同時(shí)提高了生產(chǎn)效率和一致性。
4 技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn)：

可適用于晶圓尺寸8inch等，搭載了可對(duì)應(yīng)不定形基板的臺(tái)板。

離子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易處理的B、P、As離子等固體蒸發(fā)源。

HV terminal的部分，與量產(chǎn)裝置是同樣的構(gòu)成，可確保高信賴(lài)性。

可大范圍對(duì)應(yīng)從試作到量產(chǎn)的各類(lèi)需求。