化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)

簡要描述：PD-220NL 是一種負載鎖定等離子體增強化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)以非常緊湊的占地面積提供了PECVD的所有標(biāo)準(zhǔn)功能?？稍谥睆?20毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。用戶友好的觸摸屏界面，用于參數(shù)控制和配方存儲。該系統(tǒng)是研發(fā)用薄膜沉積以及試生產(chǎn)的理想選擇。

產(chǎn)品型號：PD-220NL
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時間：2024-09-06
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1. 產(chǎn)品概述

PD-220NL 是一種負載鎖定等離子體增強化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)以非常緊湊的占地面積提供了PECVD的所有標(biāo)準(zhǔn)功能?？稍谥睆?20毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。用戶友好的觸摸屏界面，用于參數(shù)控制和配方存儲。該系統(tǒng)是研發(fā)用薄膜沉積以及試生產(chǎn)的理想選擇。

2. 設(shè)備用途/原理

SiH4-SiNx。SiH4-SiO2。液體驅(qū)體(SN-2)SiNx。TEOS-SiO2。

3. 設(shè)備特點

大加工范圍：?220 mm (?3" x 5, ?4" x 3, ?8" x 1)。優(yōu)異的均勻性和應(yīng)力控制。工藝穩(wěn)定性和可重復(fù)性。堅固的系統(tǒng)，低的運行/維護成本。用戶友好的觸摸屏界面，用于參數(shù)控制和配方存儲。PD-220NL設(shè)計時尚、緊湊，只需小的潔凈室空間。雙頻(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于過程控制。

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