低溫ICP-RIE等離子體刻蝕系統(tǒng)

1. 產(chǎn)品概述：

SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)代表了電感耦合等離子體 （ICP） 處理的前沿技術(shù)，其最寬溫度范圍為 -150 °C 至 150 °C。 該工具包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個動態(tài)溫控基板電極、一個受控的真空系統(tǒng)和一個非常易于操作的用戶界面。靈活性和模塊化是設(shè)計(jì)特點(diǎn)。該系統(tǒng)可以配置為處理各種精細(xì)結(jié)Si, SiO2, Si3N4, GaAs和InP

2. 低損傷等離子體蝕刻

由于離子能量低和離子能量分布窄，因此可以使用SENTECH ICP蝕刻工具進(jìn)行低損傷蝕刻和納米結(jié)構(gòu)。

3. 使用低溫加工的深硅蝕刻

電感耦合 SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于硅的低溫蝕刻以獲得光滑的側(cè)壁、室溫下的硅蝕刻以及使用氣體切碎工藝的深硅蝕刻，應(yīng)用在流體學(xué)、傳感器、光電子學(xué)、光子學(xué)和量子技術(shù)中。

4. SENTECH專有的等離子體源技術(shù)

SENTECH 平面三重螺旋天線 （PTSA） 是一種ICP 等離子體源。PTSA 源產(chǎn)生具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體，適用于傳感器和量子點(diǎn)的低損傷蝕刻。它具有高耦合效率和非常好的點(diǎn)火性能，適用于處理各種材料和結(jié)構(gòu)。

5. 動態(tài)溫度控制

等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設(shè)置和穩(wěn)定性是高質(zhì)量蝕刻的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。具有動態(tài)溫度控制功能的襯底電極與氦氣背面冷卻和襯底背面溫度傳感相結(jié)合，可在很寬的溫度范圍內(nèi)提供出色的工藝條件。通常，低溫電極使用液氮冷卻，但是，低溫電極也可用于使用冷卻器進(jìn)行室溫處理。有一個選項(xiàng)可用于在低溫蝕刻和室溫蝕刻之間自動切換。

6. 靈活性和模塊化

從150 mm晶圓到直徑200 mm的各種襯底，以及載體上的襯底，都可以通過SENTECH SI 500 Ccrogenic ICP-RIE等離子蝕刻系統(tǒng)中內(nèi)置的靈活負(fù)載鎖來處理。單晶圓真空負(fù)載鎖定保證了穩(wěn)定的工藝條件，并允許直接切換工藝。