8英寸離子束沉積（IBD）設(shè)備

1. 產(chǎn)品概述

Ganister™ A離子束沉積設(shè)備，是針對低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品，在硬盤磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有著重要的應(yīng)用。該設(shè)備采用濺射成膜，靶材選擇范圍廣。而其采用的四槽旋轉(zhuǎn)靶材基座，更可處理多達四種靶材。選配的輔助離子源，可以實現(xiàn)原位預(yù)清洗、優(yōu)化膜層致密性等功能。此外，Ganister™ A的輔助離子源也可進行離子束刻蝕，一個腔室內(nèi)兼?zhèn)鋬煞N工藝，顯著提高了該設(shè)備的功能。

2. 系統(tǒng)特性

在低溫、超低壓工藝模式下，形成高致密優(yōu)質(zhì)膜層

雙離子源結(jié)構(gòu)（濺射+輔助離子源），輔助源用于清洗與輔助濺射

可高精度控制沉積過程，并能保障批次間的膜層重復性

實時光控設(shè)備，用來監(jiān)控、分析、調(diào)整膜層光譜

選配：可在一個腔室內(nèi)同時實現(xiàn)IBD和離子束刻蝕（IBE）功能

適用于8英寸晶圓