12英寸離子束塑形（IBS) 設(shè)備

簡要描述：Pangea®A系列常規(guī)IBS設(shè)備由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的影響。這種物理方案，幾乎可以用來刻蝕任何固體材料，包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體等。柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制，提升了工藝可控性；載片臺的角度可調(diào)整，實現(xiàn)離子束傾斜入射，可用于特殊圖案的刻蝕，也適用于

產(chǎn)品型號：Pangea® A 系列
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時間：2024-09-04
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1. 產(chǎn)品概述

Pangea®A系列常規(guī)IBS設(shè)備由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的影響。這種物理方案，幾乎可以用來刻蝕任何固體材料，包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體等。柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制，提升了工藝可控性；載片臺的角度可調(diào)整，實現(xiàn)離子束傾斜入射，可用于特殊圖案的刻蝕，也適用于側(cè)壁清洗等工藝。

2. 系統(tǒng)特性

Pangea®A系列適用于12英寸晶圓，配置大口徑離子源，刻蝕均勻性（1 σ）達(dá)到< 1%

樣品臺可偏轉(zhuǎn)（tilt），偏轉(zhuǎn)范圍：-90°到+80°，實現(xiàn)離子束傾斜入射

工藝過程中，樣品臺可自轉(zhuǎn)

可搭配多種傳輸模塊

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