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簡要描述：滿足半導(dǎo)體制造中濕法刻蝕工藝，單片加工，適用于SiO2，SiN，Polysilicon和各種金屬層的刻蝕，清洗等工藝流程。
產(chǎn)品型號(hào)：KS-S300-E廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時(shí)間：2024-09-05訪 問 量： 342產(chǎn)品分類
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1. 產(chǎn)品概述
滿足半導(dǎo)體制造中濕法刻蝕工藝，單片加工，適用于SiO2，SiN，Polysilicon和各種金屬層的刻蝕，清洗等工藝流程。
2. 產(chǎn)品優(yōu)勢
利用位置、速度可控的擺臂噴灑化學(xué)液，可以有效的提高刻蝕均勻性
分層式反應(yīng)腔體設(shè)計(jì)，可以在同一腔體中噴灑多種化學(xué)液，并能有效回收，節(jié)約化學(xué)液
疊層控制，占地面積小，多可配置4個(gè)刻蝕單元
3. 應(yīng)用域：
半導(dǎo)體制造中濕法刻蝕工藝
封裝域中金屬層刻蝕，滿足UBM及RDL工藝要求
OLED 域中金屬及金屬氧化物（ITO/IGZO）刻蝕、緩沖層成膜的表面（SiO2）刻蝕清洗等工藝
滿足半導(dǎo)體制造中濕法刻蝕工藝，單片加工，適用于SiO2，SiN，Polysilicon和各種金屬層的刻蝕，清洗等工藝流程。
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