高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)

1.產(chǎn)品概述：

本沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。

2.產(chǎn)品優(yōu)勢：

用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項目。

該系統(tǒng)可用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料科研工作。

3.產(chǎn)品工藝：

真空室結(jié)構(gòu):梨形上升蓋

真空室尺寸:φ550×350mm

限真空度:≤6.6E-6Pa（經(jīng)烘烤除氣后）

沉積源:永磁靶5套，φ2英寸配有多個靶位，例如 5 個 2 英寸磁控濺射靶接

樣品尺寸，溫度:φ2英寸,6片; φ4英寸,1片; 高800℃

占地面積（長x寬x高）:約3米×1.1米×2米

電控描述:全自動

工藝:片內(nèi)膜厚均勻性：≤±3%