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    自然氧化膜去除設(shè)備

    簡要描述:自然氧化膜去除設(shè)備去除設(shè)備 RISE-300批處理式自然氧化膜去除設(shè)備RISETM-300是用于去除位于LSI的Deep-Contact底部等難以去除的自然氧化膜的批處理式預(yù)清洗裝置??商幚?00mm,300mm尺寸晶圓。

    • 產(chǎn)品型號:RISE-300
    • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
    • 更新時(shí)間:2024-09-06
    • 訪  問  量: 373

    詳細(xì)介紹

    1 產(chǎn)品概述:

       自然氧化膜去除設(shè)備是一種專門用于去除半導(dǎo)體晶圓、太陽能電池板等表面自然形成的氧化膜的設(shè)備。這些氧化膜通常是由于材料暴露在空氣中與氧氣反應(yīng)而形成的,它們會影響后續(xù)工藝步驟的精度和效果,因此需要在特定工藝階段前進(jìn)行去除。自然氧化膜去除設(shè)備通過物理或化學(xué)方法,如等離子體刻蝕、化學(xué)清洗等,有效去除這些氧化膜,保證后續(xù)工藝的質(zhì)量。

    2 設(shè)備用途:

    自然氧化膜去除設(shè)備的主要用途包括:

    1. 半導(dǎo)體制造:在半導(dǎo)體芯片制造過程中,自然氧化膜去除設(shè)備用于去除晶圓表面的自然氧化層,為后續(xù)的沉積、光刻、刻蝕等工藝步驟提供干凈的表面。這對于保證芯片的性能和可靠性至關(guān)重要。

    2. 太陽能電池制造:在太陽能電池板的生產(chǎn)中,自然氧化膜去除設(shè)備用于去除電池板表面的氧化膜,提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。

    3. 微納加工:在微納加工領(lǐng)域,自然氧化膜去除設(shè)備也用于去除微納米結(jié)構(gòu)表面的氧化膜,保證加工精度和表面質(zhì)量。

    3 設(shè)備特點(diǎn)

    自然氧化膜去除設(shè)備通常具有以下特點(diǎn):

    1. 高精度:設(shè)備能夠精確控制去除氧化膜的厚度和均勻性,確保不會對基材造成損傷或過度去除。

    2. 高效率:設(shè)備通常采用批量處理的方式,能夠同時(shí)處理多個(gè)晶圓或電池板,提高生產(chǎn)效率。

    3. 低損傷:在去除氧化膜的過程中,設(shè)備采用溫和的物理或化學(xué)方法,避免對基材造成機(jī)械損傷或化學(xué)腐蝕。

    4. 高穩(wěn)定性:設(shè)備具備穩(wěn)定的控制系統(tǒng)和精確的監(jiān)測裝置,能夠確保長時(shí)間運(yùn)行的穩(wěn)定性和可靠性。

    批處理式自然氧化膜去除設(shè)備RISE-300,該產(chǎn)品具有以下特點(diǎn):

    • 高產(chǎn)率以及低運(yùn)行成本(CoO)。

    • 具有良好的刻蝕均一性(小于±5%/批)和再現(xiàn)性。

    • 采用干法刻蝕技術(shù),具有Damage-Free的特點(diǎn)(如遠(yuǎn)端等離子、低溫工藝),減少了對基材的損傷。

    • 自對準(zhǔn)接觸電阻僅為濕法的1/2,提高了工藝效率。

    • 靈活的裝置布局和高維護(hù)性(方便的側(cè)面維護(hù)),降低了維護(hù)成本。

    • 可處理200mm300mm尺寸的晶圓,具有廣泛的應(yīng)用范圍。


    4
    技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn):

    高產(chǎn)率以及低CoO

    良好的刻蝕均一性(小于±5%/批)和再現(xiàn)性

    干法刻蝕

    Damage-Free(遠(yuǎn)端等離子、低溫工藝)

    自對準(zhǔn)接觸電阻僅為濕法的1/2

    靈活的裝置布局

    高維護(hù)性(方便的側(cè)面維護(hù))

    300mm晶圓批處理:50/


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