<menu id="iemyc"><acronym id="iemyc"></acronym></menu>
  • <dfn id="iemyc"><source id="iemyc"></source></dfn>
    <code id="iemyc"><del id="iemyc"></del></code>
  • <strike id="iemyc"><code id="iemyc"></code></strike>
    歡迎來到深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司網(wǎng)站!
    咨詢熱線

    當(dāng)前位置:首頁  >  產(chǎn)品中心  >  其他前道工藝設(shè)備  >  10 其他  >  THEORIS A302L12英寸立式低溫退火爐

    12英寸立式低溫退火爐

    簡要描述:THEORIS A302L 12英寸立式低溫退火爐,優(yōu)良的壓力控制系統(tǒng),高精度溫度場控制技術(shù)。

    • 產(chǎn)品型號(hào):THEORIS A302L
    • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
    • 更新時(shí)間:2024-09-05
    • 訪  問  量: 612

    詳細(xì)介紹

    1. 產(chǎn)品概述

    THEORIS A302L 12英寸立式低溫退火爐,優(yōu)良的壓力控制系統(tǒng)。

    2. 設(shè)備用途/原理

    THEORIS A302L 12英寸立式低溫退火爐,優(yōu)良的壓力控制系統(tǒng)高精度溫度場控制技術(shù),優(yōu)良的顆粒控制技術(shù),可靠的氫氣工藝能力技術(shù),高產(chǎn)能

    3. 設(shè)備特點(diǎn)

    晶圓尺寸 12 英寸,適用材料硅。適用工藝 低壓合金、金屬 / 非金屬退火、薄片退火。適用域  新興應(yīng)用、集成電路、優(yōu)良封裝。退火爐是在半導(dǎo)體器件制造中使用的一種工藝,其包括加熱多個(gè)半導(dǎo)體晶片以影響其電性能。熱處理是針對(duì)不同的效果而設(shè)計(jì)的??梢约訜峋约せ顡诫s劑,將薄膜轉(zhuǎn)換成薄膜或?qū)⒈∧まD(zhuǎn)換成晶片襯底界面,使致密沉積的薄膜,改變生長的薄膜的狀態(tài),修復(fù)注入的損傷,移動(dòng)摻雜劑或?qū)诫s劑從一個(gè)薄膜轉(zhuǎn)移到另一個(gè)薄膜或從薄膜進(jìn)入晶圓襯底。

    退火爐可以集成到其他爐子處理步驟中,例如氧化,或者可以自己處理。退火爐是由專門為加熱半導(dǎo)體晶片而設(shè)計(jì)的設(shè)備完成的。退火爐是節(jié)能型周期式作業(yè)爐,超節(jié)能結(jié)構(gòu),采用纖維結(jié)構(gòu),節(jié)電60%。


    產(chǎn)品咨詢

    留言框

    • 產(chǎn)品:

    • 您的單位:

    • 您的姓名:

    • 聯(lián)系電話:

    • 常用郵箱:

    • 省份:

    • 詳細(xì)地址:

    • 補(bǔ)充說明:

    • 驗(yàn)證碼:

      請(qǐng)輸入計(jì)算結(jié)果(填寫阿拉伯?dāng)?shù)字),如:三加四=7
    抽搐高潮喷水流白浆在线精品视频,国产97碰久久免费视频,黄片视频福利大全,一区二三区二三无码区在线
    <menu id="iemyc"><acronym id="iemyc"></acronym></menu>
  • <dfn id="iemyc"><source id="iemyc"></source></dfn>
    <code id="iemyc"><del id="iemyc"></del></code>
  • <strike id="iemyc"><code id="iemyc"></code></strike>