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    掃描式光刻機

    簡要描述:1、Nikon S308F掃描式光刻機
    光源波長193nm
    分辨率優(yōu)于0.07µm
    主要用于4寸、6寸、8寸及12寸生產(chǎn)線
    廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、MEMS、LED等領(lǐng)域
    2、產(chǎn)品詳情
    主要技術(shù)指標
    分辨率0.07µm
    N.A.0.92
    曝光光源193nm
    倍率4:1
    最大曝光現(xiàn)場26mm*33mm
    對準精度12nm

    • 產(chǎn)品型號:Nikon S308F
    • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
    • 更新時間:2024-09-04
    • 訪  問  量: 836

    詳細介紹

    一、產(chǎn)品概述:

    Nikon S308F 掃描式光刻機是一款高性能的設(shè)備,專為先進半導(dǎo)體制造而設(shè)計,適用于 300mm 晶圓的生產(chǎn)。該機型采用了先進的掃描技術(shù)和高分辨率光學(xué)系統(tǒng),能夠?qū)崿F(xiàn)精準的圖案轉(zhuǎn)移,滿足現(xiàn)代集成電路和微機電系統(tǒng)的制造需求。其快速的曝光速度和高生產(chǎn)效率使其適合大批量生產(chǎn),同時用戶友好的操作界面和自動化功能也降低了操作難度。憑借其穩(wěn)定性和可靠性,Nikon S308F 在復(fù)雜的制造環(huán)境中表現(xiàn)出色,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)。

    二、設(shè)備用途/原理:

    該設(shè)備以其高分辨率和高效的曝光能力,確保了在先進制造領(lǐng)域的應(yīng)用。該設(shè)備利用高強度光源將掩模上的圖案投影到涂有光刻膠的晶圓表面。首先,光源發(fā)出特定波長的光線,通過高分辨率的光學(xué)系統(tǒng),掃描掩模并將其圖案精確投影到晶圓上。曝光后,光刻膠的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化,接著進行顯影過程,去除未曝光或已曝光的光刻膠,形成所需圖案。隨后,利用刻蝕工藝將圖案轉(zhuǎn)移到晶圓材料上,最后去除殘留的光刻膠。通過這種方式,Nikon S308F 能夠高效地實現(xiàn)復(fù)雜圖形的精確轉(zhuǎn)移,滿足現(xiàn)代半導(dǎo)體制造的需求。

    三、主要技術(shù)指標

    分辨率

    0.07µm

    N.A.

    0.92

    曝光光源

    193nm

    倍率

    4:1

    大曝光現(xiàn)場

    26mm*33mm

    對準精度

    12nm

    四、設(shè)備特點

    Nikon S308F掃描式光刻機

    光源波長193nm

    分辨率優(yōu)于0.07µm

    主要用于4寸、6寸、8寸及12寸生產(chǎn)線

    廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、MEMSLED等域




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